受惠记忆体大厂的持续减产，加上市场库存去化显现效益，预计在 NAND Flash 价格开始回温之后，DRAM 价格也将随着涨价。显示记忆体厂商在经历有史以来最长的跌价周期之后，终于见到隧道的出口。

NAND Flash 供应商为减少亏损的情况下，2023 年以来已经进行了多次的减产，藉此希望拉抬价格，停止价格的在继续往下探。如此动作开始奏效，市场传出 NAND Flash 的晶圆合约价于 8 月反弹，而且到 9 月也持续调涨，使得 NAND Flash 价格领 DRAM 提早反弹。
其中，因为龙头三星为了亏损持续扩大而进行的持续减产动作，主要以 128 层堆叠以下的产品为主，使得 9 月份的产量减少近 50%，带动了整体的市场跟着做出减产动作，使调整库存的效益展现，使得市场预估第四季 NAND Flash 价格还将继续上涨。机构 也对第 4 季 NAND Flash 报价乐观，预估涨幅将约 10%以内，高于原先预估的 5%以内。
至于在 DRAM 方面，虽然较 NAND Flash 较晚涨价。然而，随着大厂减产的效益展现，使得库存去化速度加快，逐渐回到将康水位的情况下，也预计跟着从第四季开始回涨，而且市场预计，这波的涨势将是下一个上升周期的起始点。
市场人士指出，DRAM 这波的价格上涨，除了大厂减产、库存去化等因素之外，也与人工智慧市场有关。原因是人工智慧应用在资料中心市场需求的 DDR5 产能供应有限，因此在需求提升下，价格先一波上涨。另外，大厂陆续已经退出的 DDR3，目前因为产能少，但仍有市场需求的情况下，成为涨幅价大的品项。
至于，当前主流的DDR4，虽然厂商努力清除大量库存，希望能进一步拉抬价格。然而，市场仍有不利的消息，就是英特尔新推出的 Meteor Lake 运算平台仅支援 DDR5，不向下支援 DD4，这对目前 DDR4 库存仍高的厂商来说，将成为另一压力。所以，接下来是否能顺利化解这不利因素，则有待观察。
总而来说，当前记忆体大厂的持续减产，让库存消化开始出现成效，也导致了价格的上扬。另外，配合市场需求等因素，市场预估涨价的效应将会持

---------来源 中国IC交易网