NAND Flash新技术x3(3-bit-per-cell)和x4(4-bit-per-cell)陆续问世，东芝(Toshiba)和新帝(SanDisk)阵营技术最领先，已开始导入高容量快闪记忆卡应用，美光(Micron)x3技术NAND Flash晶片紧跟在后，即将步入生产，目前三星电子(Samsung Electronics)x3技术明显落后，仍无法进入大量生产，还在后面辛苦追赶。然值得注意的是，随着NAND Flash制程微缩，晶片可读写次数及效能将明显下降，且不适用在固态硬碟(SSD)，引发部分记忆体业者质疑NAND Flash新技术竞赛恐已跑过头。

记忆体业者表示，目前NAND Flash大厂尤其是新帝与东芝阵营，对于x3和x4技术发展相当积极，并居于领先地位，新帝日前率先宣布高容量快闪记忆卡新品开始采用x4技术NAND Flash晶片。不过，现阶段面临技术瓶颈最大的部分，其实是控制晶片业者，因为所有NAND Flash晶片缺陷和障碍，都需要透过控制晶片弥补，因此，相较于目前NAND Flash大厂一头热投入x3和x4技术，控制晶片业者态度相对冷淡。

随着新帝宣布采用x4技术NAND Flash应用产品问世，目前尚未成为NAND Flash主流的x3和x4技术，究竟是否适合导入终端产品问题，再度引发业界质疑。记忆体业者指出，目前确定x3和x4技术只适用在低速快闪记忆卡和随身碟，但不适用于高阶产品，当然更不适用在SSD。

事实上，根据厂商针对NAND Flash晶片效能实际测试结果显示，采用90奈米制程NAND Flash晶片，读写次数约10万次之多，但制程推进至30奈米x2(2-bit-per -cell)技术后，读写次数降至约3,000次，到了x3技术世代之后，效能状况就更糟糕，不仅读写速度变慢，读写次数甚至降至仅达数百次水准。

记忆体业者表示，不论是x3或x4技术，目的都是将NAND Flash晶片容量大幅提升，以增加产品附加价值，然产品效能却下滑，加上SSD产品不能采用x3或x4技术，因此，是否能够被市场接受，仍是一大问题，未来MLC／SLC既有技术将与x3或x4新技术在应用领域明显区隔，前者可应用在高速记忆卡或SSD产品，后者技术则用在低速产品上。

记忆体业者对于x3或x4技术效能及产品稳定性仍存疑虑，导入新世代技术记忆体产品容量虽变大，但读写速度变慢，产品寿命亦变短，这些问题目前都难以克服，加上新帝在x3应用产品都还未真正大量生产前，却已抢着要推出x4技术产品，让业者质疑NAND Flash技术竞赛是否已跑过头。

记忆体业者认为，NAND Flash晶片未来应要能导入SSD市场，然2008年底低价电脑推出内建MLC架构SSD产品时，却出现因品质不稳定状况，当时控制晶片业者一肩扛下责任，但从此让PC业者对于SSD应用望而却步，采用SSD的低价电脑自此沉寂许久，如今x3和x4技术陆续问世，效能更是持续下降，对于促进SSD产业发展并没有帮助，只能主打低价产品市场。

尽管业界对于x3技术应用持保留态度，但三星、东芝、美光等NAND Flash大厂仍将此视为重要技术竞赛。